Samsung lance le nouveau flash V9 QLC de 9e génération – production de masse en cours
La dernière technologie de mémoire Flash QLC de Samsung
Une nouvelle génération de mémoire Flash révolutionnaire
Après le lancement de sa nouvelle mémoire Flash NAND V9 TLC en avril, Samsung a annoncé le lancement de la production de masse de sa toute nouvelle mémoire Flash V9 QLC de 9e génération.
La version V9 offre une capacité de stockage plus importante avec des modèles d’un téraoctet. Grâce à sa technologie Channel Hole Etching, Samsung parvient à réaliser les plus grands nombres de couches de l’industrie, avec un design double empilage.
En tirant des enseignements de la mémoire Flash TLC de 9e génération, Samsung affirme que la V9 QLC est environ 86% plus dense que sa génération précédente de mémoire Flash V-NAND QLC. Cette technologie utilise également le Design Mold et le Predictive Program pour améliorer les performances de rétention des données d’environ 20% et la vitesse d’entrée/sortie de données de 60%.
Une réduction significative de la consommation d’énergie
Samsung a également réussi à réduire massivement la consommation d’énergie grâce à sa fonctionnalité de Low-Power Design. Cette technique permet de réduire la tension qui alimente les cellules NAND en n’envoyant que les lignes de bits nécessaires, réduisant ainsi la consommation d’énergie de 30% et 50% respectivement pour les lectures et écritures de données.
Une technologie innovante pour des produits diversifiés
Samsung prévoit d’intégrer sa mémoire QLC de 9e génération dans divers produits allant des SSD grand public aux stockages UFS des smartphones mobiles. Cette technologie sera également disponible pour les clients fournisseurs de services cloud de Samsung sous forme de SSD basés sur serveur.
La 280e couche de mémoire QLC de la V9 de Samsung est considérée comme la meilleure de l’industrie, offrant la meilleure densité et performance par rapport aux solutions QLC de la concurrence. Avec une densité de stockage de 19,5 Gb mm2, la V9 est presque 50% plus dense que la solution QLC de 232 couches de YMTC. Les performances seraient également 33% plus rapides que celles de ses concurrents, avec une vitesse de fonctionnement de 3,2 Gbps.
Avec ces améliorations, Samsung sera en mesure de proposer des disques presque 50% moins chers que les SSD de plus haute capacité sur le marché actuel, que ce soit des SSD PCIe M.2 grand public, des SSD U.2 pour serveurs, ou des SSD de grand format. Les performances seront également nettement meilleures, la V9 QLC pouvant atteindre des performances proches des SSD plus anciens ou d’entrée de gamme utilisant la mémoire Flash NAND TLC.
Source : www.tomshardware.com
