Micron annonce l’arrivée révolutionnaire de la mémoire HBM4E en 2026
Les prochaines générations de mémoire HBM4 et HBM4E de Micron promettent des avancées majeures. La mémoire HBM4, avec une interface de 2048 bits, devrait entrer en production de masse en 2026, suivie de la HBM4E les années suivantes. Cette dernière permettra non seulement des taux de transfert de données supérieurs à la HBM4, mais aussi des options de personnalisation du die de base, marquant ainsi un changement de paradigme pour l’industrie.
Les avancées de la HBM4E
La HBM4E va au-delà de la performance de la HBM4 en offrant des dies de base personnalisés pour certains clients, leur permettant ainsi d’obtenir des solutions plus optimisées avec des fonctionnalités supplémentaires. Ces dies logiques sur mesure seront fabriqués par TSMC en utilisant un processus de nœud avancé, permettant d’intégrer davantage de caches et de logique pour des performances accrues.
Une personnalisation révolutionnaire
La personnalisation des dies de base de la HBM4E permettra aux clients d’obtenir des fonctionnalités telles que des caches améliorés, des protocoles d’interface personnalisés adaptés à des applications spécifiques (IA, HPC, réseaux, etc.), des capacités de transfert de mémoire à mémoire, des largeurs d’interface variables, une modulation avancée de tension et de puissance, ainsi que des algorithmes de correction d’erreur et/ou de sécurité personnalisés.
Une innovation attendue
Le développement des produits HBM4E est déjà en cours chez Micron avec plusieurs clients, et l’adoption de dies de base avec des configurations différentes est annoncée. Il s’agit d’une avancée vers des solutions mémoire personnalisées pour les applications gourmandes en bande passante comme l’IA, le HPC, les réseaux, et plus encore.
Reste à savoir comment les solutions HBM4E personnalisées se compareront aux solutions HBM personnalisées de Marvell. Micron prévoit une production en volume de la HBM4 en 2026, en phase avec le lancement des GPU Vera Rubin de Nvidia et des Instinct MI400-series d’AMD pour l’IA et le HPC. En parallèle, Samsung et SK Hynix devraient également utiliser une technologie de fabrication de classe 6nm pour leurs produits HBM4.
Les nouvelles avancées de Micron
Micron a également annoncé que les expéditions de ses dispositifs HBM3E 8-Hi pour les processeurs Blackwell de Nvidia sont en cours. Les stacks HBM3E 12-Hi sont en phase de test avec les principaux clients de l’entreprise, qui se disent satisfaits des résultats obtenus.
Nous restons curieux de voir comment ces avancées dans le domaine de la mémoire vont façonner l’avenir de la technologie informatique pour les prochaines années.
Source : www.tomshardware.com
