Micron lance ses nouveaux DDR5 16Gb gravés en EUV à 9200 MT/s
Les nouveaux dispositifs 16Gb DDR5 de Micron
Le 25 mars, Micron a présenté ses nouveaux dispositifs 16Gb DDR5 fabriqués sur son nouveau processus de fabrication 1γ (1-gamma) utilisant la lithographie EUV, une première pour l’entreprise. Ces nouveaux IC offrent des performances supérieures à leurs prédécesseurs, consomment moins d’énergie et sont potentiellement moins chers à produire. La technologie de fabrication 1γ de l’entreprise sera également adoptée pour d’autres produits DRAM.
DDR5 à 9200 MT/s
Le produit phare 1γ de Micron est son IC DDR5 16Gb (2GB) évalué pour un taux de transfert de données de 9200 MT/s à une tension standard de 1,1V. Comparé à son prédécesseur fabriqué sur le processus de fabrication 1β, le nouveau dispositif consomme 20% de moins d’énergie et offre une densité de bits 30% supérieure, pouvant potentiellement se traduire par une diminution des coûts de production une fois que les nouveaux chips atteindront des rendements comparables à ceux des dispositifs DRAM 16Gb 1β.
Échantillonnage et production
Micron échantillonne actuellement ses IC DDR5 16Gb fabriqués sur la technologie 1γ, et les produits de base avec les fabricants d’ordinateurs portables et de serveurs, avec des qualifications attendues dans un à deux trimestres. Nous devrions donc voir les derniers dispositifs mémoire de Micron dans des produits grand public à partir de mi-2025. L’entreprise prévoit que tous les types de modules mémoire adopteront ses nouvelles puces mémoire.
À long terme, Micron utilisera sa technologie de fabrication 1γ pour produire d’autres types de produits mémoire, y compris le GDDR7, le LPDDR5X (jusqu’à 9600 MT/s) et des produits de qualité pour centres de données, faisant ainsi de ce nœud un élément essentiel pour l’entreprise.
Technologie de fabrication 1γ
La technologie de fabrication 1γ de Micron est la première du fabricant à adopter la lithographie ultraviolette extrême (EUV), offrant des avantages significatifs par rapport aux lignes de produits existantes. L’entreprise n’a pas divulgué combien de couches EUV le nouveau nœud de production utilise, mais on peut spéculer qu’elle utilise EUV pour des couches critiques qui nécessiteraient sinon l’utilisation de techniques de multipatterning, prolongeant les cycles de production et affectant les rendements.
Micron produit actuellement ses DRAM 1γ dans ses usines au Japon, où sa première machine EUV a été installée en 2024. À mesure que l’entreprise intensifie la production de mémoire 1γ, elle ajoutera plus de systèmes EUV à ses usines au Japon et à Taïwan.
Source : www.tomshardware.com
