CXMT avance la production de la mémoire HBM2: Une avancée chinoise majeure
ChangXin Memory Technologies : La production en masse de la mémoire HBM2 démarre en Chine
ChangXin Memory Technologies (CXMT), un fabricant de mémoire de premier plan en Chine, a commencé la production en masse de la mémoire HBM2, rapporte DigiTimes. Si l’histoire s’avère exacte, l’entreprise chinoise sera environ deux ans en avance sur le calendrier prévu pour la production de ces puces mémoire, essentielles pour les processeurs de pointe en intelligence artificielle et en informatique haute performance.
Plus tôt cette année, Tom’s Hardware a rapporté que CXMT a commencé à acquérir les outils nécessaires pour fabriquer des produits de mémoire à bande passante élevée (HBM). Il faut généralement au moins un an (et plus probablement deux) pour commencer la production en masse avec des rendements satisfaisants. CXMT a commandé du matériel à des fournisseurs des États-Unis et du Japon, avec des entreprises américaines telles que Applied Materials et Lam Research recevant des licences d’exportation pour fournir des outils de fabrication. Produire de la mémoire HBM est un processus complexe : les dispositifs mémoire sont plus grands que les DRAMs courantes produites par CXMT, et la réalisation et l’assemblage des matrices de base posent des défis.
La mémoire à bande passante élevée : Une technologie de pointe
HBM se démarque comme étant le meilleur performer en termes de bande passante grâce à son interface large de 1024 bits et à ses taux de transfert de données relativement élevés, qui varient de 2 à 3,2 GT/s par broche dans le cas du HBM2. Sa conception d’empilement vertical et son interface large signifient que produire des dispositifs HBM ne nécessite pas la dernière technologie de lithographie, mais cela requiert une capacité de fabrication suffisante : les circuits intégrés de mémoire HBM sont physiquement plus grands que les DRAMs courantes produites par CXMT.
La production du HBM nécessite cependant des techniques d’encapsulation avancées. Connecter 8 ou 12 dispositifs mémoire verticalement à l’aide de petits vias traversants en silicium (TSV) est un processus complexe. Néanmoins, malgré cette complexité, assembler un module empilé de type KGSD (Known-Good Stacked Die) similaire à un HBM est en réalité moins difficile que la fabrication d’un dispositif DRAM utilisant une technologie de processus de classe 10nm.
Avec la production de HBM2 aujourd’hui, CXMT est encore à la traîne par rapport aux concurrents mondiaux comme Micron, Samsung et SK Hynix en termes de technologie DRAM, car ces entreprises produisent déjà en masse des mémoires HBM3 ainsi que HBM3E et se préparent à produire en masse du HBM4 avec des interfaces de 2048 bits dans les prochaines années.
Cependant, pour la Chine en général, la technologie HBM2 est cruciale pour ses processeurs avancés en intelligence artificielle et en informatique haute performance. Les processeurs de la série Ascend 910 de Huawei utilisent une mémoire HBM2 et la production d’une telle mémoire localement est un enjeu majeur pour l’industrie technologique chinoise.
Source : www.tomshardware.com
