Dernière innovation en informatique : transistor révolutionnaire 2D de l’Université de Pékin.
Une équipe de recherche de l’Université de Pékin a publié ses résultats sur un transistor GAAFET bidimensionnel et à faible consommation, le premier du genre dans le monde. Menée par le Professeur Peng Hailin et Qiu Chenguang, l’équipe pluridisciplinaire a publié dans Nature, certains membres de l’équipe qualifiant la découverte de révolutionnaire.
Le transistor GAAFET bidimensionnel
L’équipe de Pékin a fabriqué ce que le document décrit comme une “configuration GAA 2D mono-cristalline multicouche à l’échelle d’une tranche de silicium”. Il s’agit du transistor le plus rapide et le plus efficace jamais créé, selon Peng.
L’évolution technologique
Les transistors GAAFET, ou Gate-All-Around Field-Effect Transistors, représentent la prochaine étape de l’évolution de la technologie des transistors après les MOSFET et les FINFET. La maîtrise des communications entre les sources et les grilles a largement contribué à l’innovation dans ce domaine.
L’importance de la recherche
Ces avancées dans les transistors 2D empilés et le passage du silicium au bismuth sont cruciales pour l’avenir des semi-conducteurs et pour que l’industrie chinoise puisse rester compétitive. Dans un contexte de guerre commerciale entre les États-Unis et la Chine concernant les puces et les nouvelles technologies, la Chine se retrouve isolée de certains outils essentiels.
Source : www.tomshardware.com
