Micron va construire une nouvelle usine de mémoire à Hiroshima, Japon
Un nouveau projet de construction d’usine de DRAM par Micron Technology est en cours au Japon. L’usine sera équipée de la lithographie ultraviolette extrême (EUV), permettant de fabriquer les produits de mémoire les plus avancés de Micron. La construction devrait débuter début 2026 pour une mise en service en 2027.
Investissement massif dans la technologie de pointe
Micron a annoncé un investissement allant jusqu’à 500 milliards de yens japonais (3,2 milliards de dollars USD) pour apporter l’équipement EUV à Hiroshima. L’usine produira la DRAM 1-gamma, la technologie de mémoire informatique de nouvelle génération, ainsi que la mémoire haute bande passante (HBM) pour l’IA générative. L’entreprise vise une part de marché de 25% dans la HBM d’ici 2025, loin derrière SK hynix et Samsung.
Opportunités de croissance
Le vice-président exécutif et directeur commercial de Micron, Sumit Sadana, estime que le marché mondial de la DRAM croît de 15% par an, avec une croissance de la HBM trois fois supérieure. Micron bénéficie de subventions du gouvernement japonais pour couvrir une partie des coûts de construction et d’équipement. Malgré un retard dans la mise en service, l’investissement initial a augmenté pour répondre à la demande croissante.
Source : www.tomshardware.com
