Samsung prévoit de commercialiser des DRAM 3D d’ici 2030, annonce IMW 2024
Les avancées de Samsung dans le domaine de la DRAM sont impressionnantes. Lors de la conférence internationale IMW 2024, la société a présenté ses travaux sur la 3D DRAM, l’avenir de la RAM compacte. La DRAM VCT (transistor à canal vertical) est la première étape vers cet objectif, et Samsung prévoit de finaliser son développement initial l’année prochaine, avant une commercialisation de la 3D DRAM d’ici 2030.
Développement de la 4F Square VCT DRAM et de la 3D DRAM
Selon Lee Si-woo, vice-président de Samsung, les nouvelles technologies comme l’IA hyperscale et l’IA à la demande nécessitent une grande capacité de traitement de la mémoire. Cependant, les limites technologiques actuelles de la DRAM rendent ces développements difficiles. Samsung travaille donc sur des innovations structurelles pour répondre à ces besoins, avec des avancées telles que la 4F Square VCT DRAM, le design le plus compact à ce jour.
La conception 4F Square permet de réduire la taille des cellules DRAM d’environ 30% par rapport à la structure actuelle 6F Square. Elle serait également plus économe en énergie, mais nécessite une grande précision de fabrication, de meilleurs matériaux de production et des recherches approfondies pour être scalable et produite en masse. Peu de sociétés prétendent jusqu’à présent avoir réussi à mettre en œuvre cette technologie.
Les défis de la 3D DRAM
Le passage à la 4F Square VCT DRAM nécessite le développement de nouveaux matériaux tels que les matériaux à base d’oxyde et les ferroélectriques. Samsung prévoit une sortie interne du processus 4F Square en 2025, avant de se tourner vers la conception de DRAM véritablement 3D. Ce dernier représente le futur de l’innovation en termes d’augmentation de capacité et d’efficacité de la DRAM, mais il pose également des défis techniques majeurs.
Contrairement à la NAND flash, la DRAM est une mémoire volatile qui nécessite une alimentation constante pour conserver les données. Cela rend le superposition de couches DRAM beaucoup plus complexe que celui de la NAND. Samsung est pleinement conscient de ces défis et ne prévoit pas de commercialiser la 3D DRAM avant 2030. Cependant, la société a déjà prouvé par le passé sa capacité à innover et à surpasser les attentes de l’industrie.
Source : www.tomshardware.com
